伦斯勒理工学院的物理教授陆道明称，有了这种新材料，芯片制造商将能削减从生产到封装过程中的数个生产步骤，从而实现成本的降低。

　　目前广泛采用的光刻是利用光与化学物质的混合，在硅的微小面积上产生复杂的微米与纳米级图案。作为此过程的一部分，称为重分布层的聚合物薄膜对器件的功效相当重要，它沉积到硅芯片上，以减缓信号传输延迟，并保护芯片免受环境差异与机械因素的影响。

　　陆道明领导的研究小组与普利斯特公司所开发的新PES材料正是这样一种薄膜，与半导体工业领域通常所使用的现有材料相比，它则具备多种优势。此外，这种新型PES材料也能作为紫外线芯片纳米压印光刻术(目前仍处于发展的早期阶段)所使用的聚合物薄膜。陆道明称，在传统技术中使用PES以及在向下一代器件逐步转移的同时仍使用PES，保持这种一致性将有助于减缓过渡期。对于半导体业界来说，“一鱼两吃”相当具有吸引力。

　　现在，制造商通常将苯丙环丁烯(BCB)与聚酰亚胺作为重分布层的聚合物，因为它们具有低吸水性、热稳定性、低固化温度、低热膨胀性、低介电常数以及低漏电性等优点。研究人员表示PES可提供比这些材料更显著的优势，尤其是在固化温度与吸水性方面。

　　PES的固化温度为165℃，比上述2种材料要低35%%，因此制造过程中需要的热更少，这将直接转化为制造费用成本的降低。PES的另一项优势是吸水性不到0.2%%，这比其他材料来得少。此外，PES可充分附着在铜上，而且如果需要的话还可使它较不易碎。这些属性都让PES成为重分布层应用及紫外线压印光刻技术大有可为的候选者。